全新的 1TB eUFS 使用 eUFS 2.1 規範設計，Samsung 將 16 塊第五代 V-NAND 技術生產的 64GB 晶片，連同控制器堆疊封裝，成品尺寸為 11.5 x 13.0mm。Samsung 的測試數據顯示，1TB eUFS 擁有 1,000MB/s 的讀取和 260MB/s 的寫入速度。之前有傳聞指 Samsung 打算在包括大陸在內的個別市場，推出配備 12GB RAM 和 1TB 儲存的高配版 Galaxy S10+ 手機，或者這就是首款內置 1TB eUFS 儲存晶片的手機。
資料來源：9to5google