10nm 製程 + 省電 + 超快充
Snapdragon 835 (S835) 是 Qualcomm 首款採用 10nm FINFET 製程的處理器,體積與 S820 相比小了 35%,效能增加 27%,功耗也降低 25%;更小的體積代表廠商可以在同樣體積的手機中加入更大容量的電池,加上功耗的降低,因此採用 S835 處理器的機種會有更好的續航力。其實,高通也特別強調 S835 的續航力表現,聲稱它可以提供一整天的通話時間、超過 5 天的音樂播放時間、超過 7 小時 4K 影片串流、或是 3 小時 4K 影片錄製。整體來看,S835 的耗電量是 S801 的一半。
此外,S835 也是首款支援高通 QC4.0 快充技術的處理器,QC4.0 與 QC3.0 相比,充電速度快 20%,效率也提高 30%
▲ S820(左)、S835(中)與一美分硬幣的大小對比。(一美分硬幣直徑大致與台幣一元相同)
八核 4+4 設定
新的 S835 處理器由 8 個 Kryo 280 核心組成,採 4+4 大小核設計,其中四個高效核心時脈為 2.45GHz,另外四個節能核心為 1.9GHz。在 80% 的使用情境下,小核就可以負責完成工作;當需要高速運算時(如玩 VR 遊戲),就會啟動大核心。而在圖形處理器(GPU)方面,S835 將會採用 Adreno 540 GPU,除了可支援 OpenGL ES 3.2、OpenCL 2.0、Vulkan 等新一代行動裝置圖形 API 之外,還可以支援 DirectX 12,因此它也是首款可執行 Windows 10 系統的處理器。記憶體部份,S835 可支援雙通道 1866MHz LP DDR4x 記憶體,進一步提昇系統效能。