據內地流出的架構圖顯示，Qualcomm 有望於 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 引入名為 Heat Pass Block（HPB）的散熱設計。據稱此技術與 Samsung Exynos 2600 的方案相同，特點是在晶片封裝頂部加入專用導熱層，加速將熱力帶離核心區域，避免因過熱導致效能出現效能樽頸。有鑑於 Qualcomm 近年不斷追求更高時脈，甚至有傳 Gen 6 Pro 最高時脈或挑戰 6GHz，若缺乏更強的散熱支援恐難以持久。因此，HPB 技術極可能是為配合極高頻率而鋪路的重要一步。
除散熱升級外，爆料亦揭示了封裝與平台功能的細節。Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 或採用 Package-on-Package（PoP）封裝，將記憶體直接堆疊在處理器上方，以節省空間及提升效率。同時，新晶片支援 LPDDR6 與 LPDDR5X 記憶體，以及透過雙高頻寬通道連接的 UFS 5.0 儲存規格。值得留意的是，爆料提及多屏幕輸出功能，暗示未來搭載此晶片的手機，或能更完善支援外接屏幕及桌面模式等生產力應用。
整體而言，Qualcomm 似乎不再單純追求跑分數據，而是著手改良底層架構，務求旗艦晶片在高負載下運作更持久穩定。至於這套 HPB 散熱技術會否下放至標準版 Gen 6 晶片，則有待後續消息確認。
來源：GIzmochina