高通否認 Snapdragon 8 Elite Extreme Gen6 過熱傳聞:台積電 2nm GAA 製程指標符合預期、表現絕無問題

alex 2026-10-18 11:58 | 手機綜合區
針對日前韓國媒體報導指稱,三星在內部實驗室測試 Qualcomm 最新一代頂級旗艦晶片「Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6」時出現過熱降頻問題、甚至傳出 Galaxy S27 Ultra 打算轉投自研 Exynos 晶片的傳言,高通官方高層打破沉默,以強硬態度直斥該報導完全失實!

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高通全球行銷長(CMO)Don McGuire 在社交平台 X 上正面回應相關討論,而高通 X 帳號明確表示:「近期關於 Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 出現散熱問題的報導完全不準確。我們為新一代旗艦平台的創新與強大動能感到自豪,並持續與全球各大 OEM 手機夥伴緊密合作,提供最頂級的旗艦體驗。」高通強調,該晶片在系統架構上並不存在任何常態性的過熱缺陷。

 
 
高通進一步分析澄清,各大手機品牌在測試工程原型機時,會依據各家不同的散熱模組設計與產品定位去微調時脈與能耗曲線,若單憑特定實驗室在極限超頻或非量產環境下的初期測試數據,很容易得出被誤導的結論。事實上,該款晶片採用台積電最先進的 2nm GAA 製程打造,其兩顆突破 5.0GHz 的 Prime 超大核與六顆 4.0GHz 效能核在設計功耗與能效比上皆完全達標。

科技外媒也指出,剛發表並在首小時創下出售 7 萬部紀錄的 OnePlus 16 以及小米 Xiaomi 18 Pro Max,均搭載了該款高通頂級晶片,在實際遊戲運算與安兔兔跑分中均展現出極高的能效穩定度。這番官方澄清,能否穩住消費者對 Android 陣營下半年旗艦新機的信心,相信各間旗艦機國際版推出時自有分曉。



消息來源:GSMArena

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